技术编号:37002292
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于有机气体纯化,具体涉及一种提纯电子气体的方法。背景技术、电子级,,,,,-六氟丙烷(hfc-fa),在半导体工业中是新一代等离子刻蚀用气体,主要用于先进制程中d nand刻蚀工艺,电子级,,,,,-六氟丙烷可以实现刻蚀工艺中高深宽比,与传统刻蚀气体八氟环丁烷、四氟化碳、六氟丁二烯、氟甲烷等含氟类电子气体相比,其深宽比可达到并具有更好的刻蚀图案垂直度。美国专利us 和us 公开,,,,,-六氟丙烷的制备过程中不...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。