技术编号：37013734
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及sic功率mosfet器件生产中待刻蚀膜与光刻胶选择比较大无法实现所用厚光刻胶开孔曝光，具体涉及一种sic功率mosfet器件生产中的增厚光刻胶的多曝光开孔方法。背景技术、mosfet器件在大功率分立器件领域应用广泛，当前功率器件行业内多数应用的mosfet结构为vdmosfet和umosfet两种。由于刻蚀难度大，难以保证u槽两侧平行，容易形成subtrench等原因，很多功率器件厂商不得不放弃对umosfet产品的开发，将研发精力投入到vdmosfet研发优化上。、碳化硅mos...
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