技术编号:37014100
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本说明书的实施例涉及使用进线(inline)表面工程源的半导体处理方法,且更具体来说,涉及靠近工件而使用连同离子束一起使用的离子与自由基源。尤其涉及一种离子植入及沉积材料及刻蚀及处理工件的方法。背景技术、半导体装置的制作涉及多个离散且复杂的工艺。一种这样的工艺可为将掺杂剂材料植入到工件中的植入工艺。另一种工艺可为在工件上沉积材料的沉积工艺。又一种工艺可为其中从工件移除材料的刻蚀工艺。、为沿着所期望路径引导离子,使用具有多个组件(例如电极、质量分析仪、四极透镜及加速/减速台)的束线系统。与光学...
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