技术编号:37014671
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于磁隧道结元件,具体涉及一种低磁滞的磁隧道结元件及其制备方法。背景技术、一个磁隧道结元件包括磁性自由层、磁性钉扎层以及位于磁性自由层与磁性钉扎层之间的隧道势垒层。磁性自由层由铁磁材料构成,磁性自由层的磁化方向可以随外部磁场的改变而改变。磁性钉扎层是一个磁化方向固定的磁性层,磁性钉扎层的磁化方向被钉扎在一个方向,在一般条件下不会发生改变。、对于tmr传感器来说,其磁场响应曲线由磁隧道结元件的磁性自由层的磁化曲线决定。在工程上,通常经过设计,通过控制退磁场、自由层钉扎场等因素来实现不同的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。