技术编号:37041481
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光伏,特别是涉及晶硅膜层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法。背景技术、多晶硅在光伏行业中广泛应用,多晶硅的膜层质量对于光伏器件的光电转换效率等,起着重要作用。、然而,现有的多晶硅的膜层质量欠佳,导致在湿法刻蚀的过程中,工艺较为复杂。技术实现思路、本发明提供一种晶硅膜层及其制备方法、太阳能电池及其制备方法,旨在解决现有的多晶硅的膜层质量欠佳,导致在湿法刻蚀的过程中,工艺较复杂的问题。、本发明的第一方面,提供一种晶硅膜层,所述晶硅膜层包括:至少一个第一多晶硅部分;所述第一多晶硅部...
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