技术编号:37060369
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路封装,具体涉及一种硅通孔转接板结构及其制备方法。背景技术、随着芯片集成度的不断提高,芯片中的晶体管密度越来越高,然而,这种高集成度也带来了严峻的散热挑战。具体来说,高集成度引起了芯片功耗的显著增加,功能增强意味着更多的晶体管在同一时间内被激活,产生了更大的电流和热量,导致在单位芯片体积内的功耗密度急剧上升,进而使芯片温度迅速升高,长时间处于高温环境下会导致电子元件的老化和电子迁移效应加速,芯片寿命衰减,同时还可能导致信号传输速度变慢、噪声增加以及电子器件的临界性能下降。因此,...
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