技术编号:37077096
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及研究堆辐照,具体涉及一种用于mjtr单晶硅辐照的提棒方式。背景技术、天然硅包含三种硅的同位素:si(丰度.%),si(丰度.%),si(丰度.%),其中si和si吸收热中子变成不稳定同位素,其吸收快中子的反应几率非常少。单晶硅辐照主要利用原始硅中si通过热中子俘获反应生成不稳定的si,si经过β衰变变成稳定核素p,实现硅单晶中子掺杂,si的中子俘获截面图见图,由图可知si发生俘获反应的主要是热中子和超热中子(e<...
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