技术编号:37102556
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及石墨烯晶体管制造的领域,尤其是涉及埋栅结构石墨烯晶体管的制备工艺。背景技术、石墨烯,即单层石墨,是迄今为止最薄的二维电子薄膜材料。石墨烯的电子迁移率很高,高达cmv-s-数量级,远高于硅中电子迁移率。理论上,石墨烯中所有sp杂化的碳原子均饱和成键,结构稳定,其所能承载的电流密度高、抗电击穿能力强;利用石墨烯制作场效应晶体管,可使沟道厚度降低至单原子尺度,其沟道长度也有可能缩短至纳米尺寸,而且不存在类似于硅基器件中的短沟效应,故石墨烯在高速电子器件领域将具有巨大的应用潜力...
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