技术编号：37112941
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电材料、光电探测器制备领域，尤其涉及一种高缺陷n型非晶硅锗层的可调波段硫硒化锑光电探测器及其制备方法。背景技术、在经济建设和生产生活高速发展的同时，人们对光电探测器的需要越来越高，具有波段调谐功能的光电探测器可以被应用到不同的领域。例如，在-nm波长范围内工作的光电探测器可用于水下量子通信，在-nm波长范围内工作的光电探测器可用于生物探测与成像。因此，制备出对入射光波长具有选择性的光电探测器成为了广泛研究的前沿性课题。、硫硒化锑异质结光电探测器具有成本低、...
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