技术编号:37118258
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种半导体结构及其制造方法。背景技术、在半导体产品中,pmos器件所受到的压应力越大,越有利于提升pmos器件的驱动电流。而nmos器件所受到的拉应力最大,越有利于提升nmos器件的驱动电流。其中,采用锗硅(sige)外延技术可以加大pmos器件的压应力。、在锗硅外延工艺中,不可避免地会使用到光刻胶。而图案负载大易导致pmos器件的蚀刻损伤,因此pmos器件成型质量差,半导体产品的稳定性变差。技术实现思路、本发明的目的在于提供一种半导体结构及其制造方法,能够提...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。