技术编号:37118356
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其是涉及一种电容器结构及其形成方法。背景技术、在半导体集成电路中,与晶体管电路制作在同一芯片上的集成电容被广泛地应用。其形式主要有金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal,mim)电容和金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal,mom)电容两种。其中,mim电容使用上下层金属作为电容极板,制作mim电容一般需要新增光刻层次,同时电容介质层击穿电压与电容大小是无法调和的矛盾量,而且平板电容一般都需要较大的面积,不利于器件的集成。而m...
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