技术编号:37138672
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明与半导体技术有关;特别涉及一种高电子迁移率晶体管。背景技术、已知高电子移动率晶体管(high electron mobility transistor,hemt)是具有二维电子气(two dimensional electron gas,-deg)的一种晶体管,其二维电子气邻近于能隙不同的两种材料之间的异质接合面,由于高电子移动率晶体管并非使用掺杂区域作为晶体管的载子通道,而是使用具有高电子移动性二维电子气作为晶体管的载子通道,因此高电子迁移率晶体管具有高崩溃电压、高电子迁移率、低导通...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。