技术编号:37151346
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微电子材料与半导体器件,具体涉及一种银基氧化物涂层忆阻器,以及其制备的方法。背景技术、忆阻器是表示磁通量和电荷量关系的无源电路元件,是构建硬件神经网络和搭建类脑计算系统的急待研发的核心器件之一。忆阻器具有尺寸小、结构简单、易于集成、速度快、功耗低、能与cmos电路兼容等优势,目前半导体业内常规的氧化物忆阻器多采用双端金属/氧化物/金属的简单三明治结构或多层三明治结构,利用氧化层中形成的导电细丝随外加电压变化的特性,来实现类脑应用所需的阻变特性,忆阻器是一种具有记忆功能的无源器件,其阻...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。