技术编号:37158893
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,特别涉及一种gan基hemt器件栅场板结构的制备方法。背景技术、氮化镓(gan)作为第三代半导体的重要代表之一,具有击穿电场高、电子饱和漂移速度快、载流子迁移率高等优点,得益于此,gan基高电子迁移率晶体管(high electronmobility transistor, hemt)器件在功率电子、通讯、雷达、航空航天等领域展现出广阔的应用前景。、gan基hemt器件在工作过程中,其漏极将在关态高电压和开态低电压之间频繁切换,因此,gan基hemt器件在关态高电压下的...
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