技术编号:37161261
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体光电领域,尤其涉及一种具备复合阻挡结构的深紫外发光二极管及其制备方法。背景技术、在紫外线中,波长在纳米至纳米的光线被称为深紫外线。而深紫外发光二极管因其高效、环保、节能、可靠等优势,在照明、杀菌、医疗、印刷、生化检测、高密度的信息储存和保密通讯等领域具有重大的应用价值,这些优势是普通的紫外发光二极管所无法比拟的。、目前在algan基的深紫外发光二极管中,由于algan材料的异质结界面处存在界面极化电荷,其产生的极化效应会对led的性能产生很大影响。在电子阻挡层的导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。