技术编号：37183005
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及传感器的封装，尤其涉及一种传感器的硅硅键合真空封装工艺。背景技术、本发明背景技术中公开的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。、真空封装是谐振式压力传感器的关键技术，目前主要的真空封装技术包括阳极键合、共晶键合以及热压键合等，但这些工艺中玻璃、金属等异质材料引入的热应力对器件的性能有较大影响。而硅硅直接键合采用同质材料，是实现传感器低应力封装最有效的途径。然而，硅硅熔融键合温度达到℃...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。