技术编号：37207741
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开整体涉及半导体器件领域，并且具体地涉及具有减小的栅极边缘区域的场效应晶体管及其制造方法。背景技术、现有技术的高压场效应晶体管经常遭受表面击穿电压。此类晶体管通常具有复杂的延伸低掺杂漏极(ldd)结构，以便以过程复杂性和增加的成本为代价来改善表面击穿特性。技术实现思路、根据本公开的一个方面，提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，其中该第一场效应晶体管和该第二场效应晶体管中的每一者包括：半导体有源区，该半导体有源区包括沿着第一水平方向布置的源极区、沟道...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。