技术编号:37207951
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开实施例涉及半导体,尤其涉及一种半图案化方法。背景技术、在半导体结构制作过程中,通常需要在目标层(例如基底或者介质层)上形成沟槽,以在沟槽中形成半导体器件(例如,字线、电容接触结构或者m金属层)。、相关技术中,通常需要在目标层形成硬掩膜层,利用双重自对准工艺(self-aligned double patterning,简称sadp)在掩膜层内形成掩膜图形,之后以掩膜图形作为掩膜刻蚀目标层,以在目标层内形成目标图形。、但是,上述工艺所形成目标图形会发生缺失,降低图案化的精准度。技术实...
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