技术编号:37230930
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体加工,尤其涉及一种防止复合钝化膜过刻蚀的工艺方法。背景技术、平面肖特基产品(sbd)在一次金属层at/al上生长所需的复合钝化膜后或沟槽肖特基产品(tmbs)在势垒alsicu上生长所需的复合钝化膜后,形成如图所示结构;形成图结构后需进行复合钝化膜的刻蚀,形成图所示结构,然后进行二次金属层ti/ni/ag沉积工艺。复合钝化膜围绕在势垒结周围,复合钝化膜的刻蚀是制程中的关键工艺,过刻蚀会直接影响后续金属填充工艺效果,形成图-所示状态;、图为复合钟化膜扫描电子显微镜(...
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