技术编号：37237533
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电探测器，涉及一种硅基雪崩光电二极管探测器，具体为一种近红外增强型硅基雪崩光电二极管制备方法。背景技术、雪崩光电二极管是一种能够对微弱光、甚至单光子都具有较高响应的光电探测器。目前，硅基雪崩光电二极管凭借着噪声低、工艺成熟、制造成本低、与cmos电路兼容以及具有较高集成度等特点，已作为极弱光探测系统的核心器件被广泛应用于激光测距、激光成像、激光制导、量子通信和生物医疗等领域。近年来，随着激光制导与量子通信等领域的迅猛发展，近红外波段光电探测器的使用需求愈发强烈，这也对硅基雪崩光电二...
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