技术编号：3727254
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种化学机械研磨组合物及方法。本发明的研磨组合物可有效应用于半导体晶片(wafer)表面的研磨。化学机械研磨技术(简称CMP)是为解决集成电路(IC)制造时因镀膜高低差异而导致微影加工上聚焦的困难而开发出来的一项平坦化技术。化学机械研磨技术首先被少量应用在0．5微米元件的制造上，随着尺寸的缩小，化学机械研磨应用的层数也越来越多。到了0．25微米时代，化学机械研磨已成为主流且为必要的平坦化技术。一般而言，用于制造金属线路的研磨方法，是将半导体晶片...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。