技术编号:3730121
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种使用化学-机械抛光(CMP)系统抛光基片的金属层的方法。背景技术现有技术已经广为知悉平坦化或抛光基片表面的组合物及方法。典型地,抛光组合物(即抛光剂)包含存在水溶液中的研磨材料,其应用是通过使待抛光的表面与以浆状组合物饱合的抛光垫接触。典型的研磨材料包含二氧化硅、氧化铈、氧化铝、氧化锆及氧化锡。例如,美国专利第5,527,423号描述一种化学-机械抛光金属层的方法,其通过待抛光的表面与抛光剂接触,其中抛光剂包含在水溶液介质中的高纯度微细金属...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。