技术编号：37302330
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体，具体地，涉及一种超级结功率器件。背景技术、超级结igbt器件作为新一代高速igbt设计技术，其优异的电学性能已经获得实验验证。超级结igbt器件的结构，如图所示，是p-集电区，是n-漂移区，是p型超级结区域，是第二次外延，是栅氧化层，是栅极poly，是p-well，是n发射极，是介质层，是发射极金属，是p集电极，是集电极金属。n-漂移区和超级结区域都是均匀掺杂。由于超级结区域是上宽下窄的等腰梯形，图中的n-漂移区和超级结区域在垂...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。