技术编号:37308666
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别是涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管,还涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极型晶体管的制造方法。背景技术、绝缘栅双极型晶体管(igbt)是金属氧化物半导体场效应晶体管(简称mosfet)和双极结型晶体管(简称bjt)组成的复合型功率半导体器件,其中横向igbt(ligbt)易于集成在硅基、尤其是soi(绝缘体上硅)基的功率集成电路中。ligbt不仅具有mos器件的栅控能力强和输入阻抗高的优点,同时电导调制效应使其具有大电流处理能力和低导通压降等优点。然而电导调制效应...
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