技术编号:37311204
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体激光器,具体涉及一种inp基半导体激光器的制作方法。背景技术、光子集成芯片中经常需要制作半导体激光器与无源波导单片集成的结构,其中为了获得低阈值电流及高发光效率,激光器区域通常采用潜脊波导结构,波导刻蚀停止于量子阱材料层之上,而为了提高对光的限制能力,无源波导区域通常采用深脊波导结构,其刻蚀穿过无源波导层材料至衬底材料之中。为了获得不同深度的激光器波导与无源波导,器件制作中通常需要采用两次icp刻蚀工艺对两个区域进行分别刻蚀,这增加了器件制作的复杂度,降低了器件制作成品率,从而...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。