技术编号：37311853
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种表征vdmos器件氢杂质对nbti影响的方法。背景技术、由于栅极驱动低功耗、快速开关速度和高功率水平，硅基vdmos(垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)已被广泛用作复杂设计部件(例如开关电源、逆变器、dc-dc转换器等)。然而当其应用于空间中的高温和高压环境时，电学性能会发生退化，从而使整个集成电路的可靠性受到威胁。、随着集成电路特征尺寸的不断缩小，负偏压温度不稳定性(nbti)已成为集成电路器件的关键失效机制之一。它是指功率mosfet在高温下施加负偏压而引起的一系列参...
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