技术编号:3731202
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学-机械抛光组合物及方法。更具体而言,本发明涉及用于将含铜、钌和钽层的基材,或更具体而言,含铜、钌、钽和介电层的半导体基材化学-机械抛光的组合物及方法。背景技术镶嵌法在集成电路制造中的应用已经导致铝被铜替换作为优选的电互联材料,因为铜具有较低的电阻率和较好的耐电迁移性。使用镶嵌法(其包括单和双镶嵌法),将氧化硅介电层蚀刻以形成设计沟槽或通孔所需的图案。然后在铜沉积之前将阻挡层沉积在形成图案的介电层上,因为铜可轻易地扩散入介电材料以污染元件。将过...
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