技术编号：37313170
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及微电子、介电材料，尤其涉及一种基于含有金属间隙杂质的介电材料的半导体器件。背景技术、随着信息技术的发展，人们对于信息存储的需求不断增大，对存储器的容量、体积、功耗和价格等提出了越来越高的要求。为了增加存储器的容量，集成电路工业旨在通过减小器件最小特征尺寸来实现。这转化为了电子实体的小型化。例如晶体管、电容器、电阻器和/或信号线。其中，许多电子实体涉及介电层。例如晶体管，其包括利用介质层与晶体管沟道分离的栅极电极。此外，电容器包括布置在两个相对的电极之间的介电层。通常，最大化介电层的介...
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