技术编号：37314139
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于mems工艺制造，具体涉及一种用于晶圆级封装的电信号引出硅通孔制作方法和装置。背景技术、mems传感器具有体积小、可集成化、成本低、能耗低等优点，mems芯片体硅制造技术主要包括两大工艺体系：一，微结构的加工制造，主要包含湿法刻蚀和干法刻蚀两个工艺方向；二，晶圆级封装工艺方案，主要用于将微结构晶圆级封装于特定的微环境内，同时实现微结构锚点与外界的电信号互联，使微结构按照所设计的换能方式运动并输出电信号。、在晶圆级封装工艺中，为了实现微结构锚点与外界的电信号互联，通常设置垂直硅通孔，...
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