技术编号：3731738
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于除去残渣的组合物。背景技术 在微电子结构制造中涉及许多步骤。在制造集成电路的加工方案中，有时需要对半导体的不同表面进行有选择的蚀刻。过去，许多类极其不同的选择性除去材料的蚀刻方法，都已经在不同程度上被成功的运用。此外，在集成电路制造方法中，微电子结构内不同层的选择性蚀刻被认为是重要的步骤。在半导体和半导体微电路制造中，经常需要给基质材料涂层聚合有机物质。一些基质材料的实施例包括铝、钛、铜和二氧化硅涂层的硅片，任选具有铝、钛或者铜等金属元素...
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