技术编号：3732864
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种，属于无机材料的制备 。 背景技术随着集成电路制造技术的飞速发展，为增大芯片产量，降低单元制造成本， 一方面要求 硅片的直径不断增大；另一方面为了提高集成电路的集成度，要求硅片的刻线宽度越来越细。 美国半导体工业协会(SIA)预测，到2008年，将开始使用450 mm硅片，实现特征线宽0.07 m的生产技术，掩膜层将增加到27层，金属互连层将达到7层。芯片集成度达到64G DRAM 或9千万个晶体管/cm 。目前，超大规模集成电路集成度达几十...
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