技术编号：37334860
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及集成电路，尤其涉及一种闩锁效应处理电路、方法、芯片及电子设备。背景技术、随着半导体工艺的发展，芯片随之逐渐向小型化发展，芯片面积越来越小使得芯片中mos器件容越来越容易发生闩锁效应(latch-up)。当芯片中集成电路的闩锁效应被触发后，集成电路进入一个正循环状态，在电压和地之间形成一个低阻抗的放电通路，并且闩锁效应无法自行消除；该放电通路导致电流急剧增大，温度快速上升，可能最终导致严重后果。例如，芯片中某个集成电路发生闩锁效应后，由于大电流的存在，会直接导致供电电源被拉低，从而导致...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。