技术编号:37335045
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于存储设备,具体涉及一种紧凑型相变存储器单元和高密度相变存储阵列结构。背景技术、相变存储器(phase change memory,pcm)是一种具有广阔应用前景的非易失性存储技术,其与电阻随机存取存储器(reram)、铁电存储器(fram)和磁阻存储器(mram)一同吸引了大量关注,它在可嵌入性、持久性、稳定性以及与cmos工艺兼容性方面的突出特性使其有望满足大数据时代对存储容量的爆炸性需求。、pcm单元中的存储组件由硫属化物组成,例如,gesbte(gst),pcm的基本存...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。