技术编号：37338074
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶圆化学机械抛光，具体涉及一种碳化硅晶圆化学机械抛光系统及控制方法。背景技术、第三代半导体材料与第一代、第二代半导体相比，具有优异的物理特性(宽禁带、击穿强度高、热导率高、饱和电子速率高、硬度高、弹性模量高、热膨胀系数低等)以及稳定的化学性质等特性。、由于碳化硅晶圆硬度高、化学性质稳定，研磨、抛光加工难度大，化学机械平坦化是目前一种常用且有效的抛光方法，也是实现碳化硅晶圆表面超光滑、无缺陷、无损伤加工的最后一道关键工艺。为了提高碳化硅晶圆的抛光效率，在抛光之前对其进行电解处理，使其...
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