技术编号:37345710
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体加工,具体为一种半绝缘碳化硅的制备方法、晶圆片及半导体器件。背景技术、现有形成半绝缘碳化硅晶圆的方法,例如可以通过掺杂v(钒)元素形成半绝缘碳化硅,但是掺杂v(钒)元素的半绝缘碳化硅的缺点一在于v(钒)的掺杂浓度需要准确控制,如果v(钒)的掺杂浓度太低,无法达到理想的半绝缘特性效果,如果v(钒)元素的掺杂浓度过高,容易引起含v的沉淀物,导致半绝缘碳化硅材料中产生微管缺陷。且掺杂v元素的半绝缘碳化硅的另一个缺点在于v元素的掺杂深度不一定很深,导致碳化硅晶圆的纵向电阻分布不一定均匀...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。