技术编号:37345875
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池,更具体地,涉及一种太阳能电池制备方法、太阳能电池及光伏组件。背景技术、topcon(tunnel oxide passivated contact,隧穿氧化层钝化接触)电池采用背面隧穿氧化层和掺杂多晶硅的复合结构,形成良好的钝化接触,可提升电池的性能。、目前,topcon电池制备时,先通过高温掺杂对硅基体掺硼,以与硅基体形成pn结,然后,在背面制备隧穿氧化层和钝化层,并进行栅线制备。尽管topcon电池中发射极层掺杂浓度越高越有利于提高电池的转化效率,但是,发射极掺杂浓...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。