技术编号：37346159
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体发光器件领域，具体涉及一种增强光输出功率的深紫外led芯片及其制造方法。背景技术、近年来，由于高铝组分algan基半导体器件在节能、环保、便携性方面的巨大优势，以及在杀菌、安全通信等方面的重要应用，特别是对新冠病毒的灭活作用，高铝组分algan基的二极管及晶体管的研究备受关注。、目前，在algan基的深紫外led芯片(light-emitting diode，发光二极管)中，由于其低出光波段的特殊性，其光无法透过或者反射，光提取效率极低，以致光电转换效率不高而影响其应用。、...
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