技术编号:37351113
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开的各种实施方式涉及半导体存储器装置,并且更具体地,涉及非易失性存储器装置。背景技术、半导体存储器装置可以包括能够存储数据的多个存储器单元。作为一种半导体存储器装置,非易失性存储器装置即使在向存储器装置供应的电力被中断时也可以保留所存储的数据。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除和可编程rom(eeprom)、闪存(ram)、电阻式随机存取存储器(rram)、相变ram(pram)、磁性ram(mram)、铁电式...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。