技术编号:37353029
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种存储器结构,且特别涉及一种动态随机存取存储器(dynamicrandom access memory,dram)结构。背景技术、目前,动态随机存取存储器的电容器都大多是以堆叠方式设置在晶体管上方,以在有限的动态随机存取存储单元的面积内制作出较大的电容器。由于电连接于电容器的存储节点接触窗(storage node contact)被定义在相邻两个位线之间,因此在有限且狭小的动态随机存取存储单元的平面面积内,除了要维持所需的位线的线宽与所需的存储节点接触窗的尺寸之外,还要确保位线与...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。