技术编号:37354916
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及可变电容元件,特别涉及由具有二维电子气层的半导体构成的可变电容元件。背景技术、iii―v族类半导体、特别是砷类的gaas及algaas以及氮化物类的gan及algan能够容易地形成algaas/gaas、algan/gan等异质构造。在iii―v族氮化物半导体的情况下,除了带隙的差以外,还能够通过由离子半径的差异导致的自发极化以及根据algan与gan的晶格常数差而发生的压电极化所带来的固定电荷,使在algaas/gaas界面的gaas层侧以及algan/gan界面的gan层侧产生高...
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