技术编号：37354993
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体制造，尤其涉及一种刻蚀装置和晶圆刻蚀方法。背景技术、干法刻蚀是晶圆加工过程中的重要工艺。干法刻蚀主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。、在现有干法刻蚀机中，通常采用静电吸附方式将晶圆固定在反应腔中。待刻蚀完成以及进行电荷释放后，晶圆表面仍存在少量残余电荷，使得晶圆出现弹片、掉片及破片，导致成品良率的下降，也降低了干法刻蚀机的工作时间，导致干法刻蚀机产能的下降。、因此，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。