技术编号：37358440
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，且具体涉及一种具有双侧互连的对称型双栅fdsoi器件及其制造方法。背景技术、随着器件特征尺寸的不断缩减，特别是nm节点之后，体硅cmos面临诸如短沟道效应、亚阈斜率增大、阈值电压漂移、寄生闩锁效应和栅控能力降低等技术挑战，受限于器件特征尺寸难以微缩，亟需新材料和新技术破局。、在诸多技术中，fdsoi凭借其优越的栅控能力成为了替代体硅cmos的一种选择。fdsoi的超薄硅体自然地限定了源漏结深，同时也限定了源漏结的耗尽区，从而可改善短沟道效应，改善亚阈特性，降低电...
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