技术编号:37360722
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请属于半导体,尤其涉及一种超结碳化硅晶体管的结构、制造方法及电子设备。背景技术、平面栅碳化硅(sic)功率金属-氧化-半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,mosfet)由于其工艺简单而被广泛应用。、然而平面栅mosfet元胞面积较大且其栅极下方存在jeft区,这导致了较大的导通电阻,增加了导通损耗。此外在实际应用电路中存在电感元件,在电路开关瞬间会产生很大的反向电流,冲击mosfet,此时需要二极管导通使...
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