技术编号:37365160
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,具体涉及一种适用于高频应用的耐高压gan hemt及制备方法。背景技术、氮化镓(gan)因具有宽带隙、耐高温、大击穿电压的特点,成为新兴的第三代半导体研究材料。algan/gan异质结构由于自发极化和压电极化,在algan与gan界面电离产生高浓度和高电子迁移率的二维电子气(deg),使其在电力电子器件和射频器件中备受关注。氮化镓高电子迁移率晶体管gan hemt(highelectron mobility transistors)作为宽禁带功率半导体器件的代表,器件在高频...
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