技术编号:3737040
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,涉及一种化学机械抛光液,尤其涉及一种可有效应用于 硫系化合物相变材料的氧化钸化学机械抛光液。背景技术相变存储器因具有高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低、抗强震 动和抗辐射等优点,而被国际半导体行业协会认为最有可能取代目前的闪存存储器而成为未 来存储器主流产品和最先成为商用产品的器件。相变存储器技术的基本原理是以硫系化合物为存储介质,利用电能(热量)使材料在晶 态(低阻)与非晶态(高阻)之间相互转换实现信息的写入与擦除,信...
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