技术编号:37374764
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体,具体涉及一种双极结型晶体管及其制造方法。背景技术、双极结型晶体管(bipolar junction transistor,bjt)又称为双载子晶体管,它是通过一定的工艺将两个pn结结合在一起的器件,分为pnp和npn两种组合结构。bjt具有放大作用,主要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的,为了保证这一传输过程,需要满足:()内部条件,要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小;()外部条件,发射结要正向偏置(加正向电压)、集电结要反偏置。...
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