技术编号:37375993
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及半导体,特别是涉及一种半导体器件及其制备方法。背景技术、绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,igbt)是一种功率半导体器件,它结合了金属氧化物场效应晶体管(mosfet)和双极型晶体管(bjt)的特性。igbt通常用于功率放大、电力转换和控制应用,因为它具有高输入阻抗和可控制的导通能力,同时能够处理高功率电流。这使得它成为电力电子领域中的重要器件,用于驱动电机、变频器、逆变器和其他高功率应用。、超结igbt结构要求电荷平衡以维持器...
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