技术编号：3737615
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及可以形成微细图案的光致抗蚀用化合物和光致抗蚀液。本 发明还涉及使用上述光致抗蚀液的被加工表面的蚀刻方法。背景技术在制造半导体元件、磁泡存储器、集成电路等电子部件的工序中，形 成微细图案将其作为蚀刻掩模，将位于其下层的表面蚀刻的技术正被广泛 使用。另外，近年来LED之类的发光元件被灵活应用于各种用途。该LED 中，利用树脂等将在基板上层叠了含有发光层的半导体多层膜的半导体元 件(以下，也将其称为"芯片")封装，但由于该芯片的光取出口的最上 层(或最...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。