技术编号：37384584
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种二极管，具体涉及一种碳化硅二极管器件及其制备方法。背景技术、sic(碳化硅)作为第三代宽带隙半导体材料的代表，具有热导率高、电子饱和迁移速率高、击穿电场高等性质，在高温、高压、高频、大功率电子器件领域更具有优势。sic sbd(schottky barrier diode)二极管的正向压降低，工作频率快，没有pin二极管的反向恢复时间和损耗，但是由于其反向阻断特性较差，工作电压普遍较低，不能满足高压领域的需求。sic jbs(junction barrier schottky)和...
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