技术编号：37387142
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及对半导体装置有用的结晶性氧化物膜及使用该结晶性氧化物膜的半导体装置。背景技术、作为对功率器件等有用的宽带隙半导体，氧化锗受到关注。据称氧化锗的带隙为.ev～.ev(非专利文献)，并且根据第一原理计算，推定空穴迁移率为cm/vs(与c轴垂直的方向)或cm/vs(非专利文献)，还期待实现pn同质结。、还研究了实际制作氧化锗而不是如上述那样的计算推定，在非专利文献中公开了使用mbe法来在r面蓝宝石基板上经由(sn，ge)o缓冲层进行氧化锗的成膜。另外，在非...
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